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　　一、美國電子工程專業(yè)院校申請難度第一梯隊

　　代表院校：

　　斯坦福大學(xué)(Stanford University)

　　麻省理工學(xué)院(MIT)：不收Master

　　加州理工學(xué)院(Caltech)

　　普林斯頓大學(xué)(Princeton University)：碩士項目主要面向本校MSEE學(xué)生

　　申請難度分析：

　　建議申請這些學(xué)校的同學(xué)們GPA可以達到3.8以上，托福達到108甚至110分以上，GRE需要達到328以上。

　　要求申請者在學(xué)術(shù)成績和EE領(lǐng)域高級課程上表現(xiàn)出色。

　　需要參與重大科研項目，并有高水平論文(如SCI二區(qū)及以上期刊)發(fā)表。

　　二、美國電子工程專業(yè)院校申請難度第二梯隊

　　代表院校：

　　加州大學(xué)伯克利分校(UC Berkeley)

　　加州大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)

　　卡內(nèi)基梅隆大學(xué)(CMU)

　　申請難度分析：

　　一般要求GPA 3.7+、托福105+、GRE 325+。

　　非985的優(yōu)秀學(xué)生同樣有機會，只需在軟實力和科研上突出表現(xiàn)。

　　三、美國電子工程專業(yè)院校申請難度第三梯隊

　　代表院校：

　　哥倫比亞大學(xué)(Columbia University)

　　賓夕法尼亞大學(xué)(UPenn)

　　康奈爾大學(xué)(Cornell University)

　　密歇根大學(xué)安娜堡分校(UMich)

　　佐治亞理工學(xué)院(Gatech)

　　伊利諾伊大學(xué)香檳分校(UIUC)

　　申請難度分析：

　　這些學(xué)校建議同學(xué)們的GPA可以達到3.5-3.6以上，托?？梢赃_到103以上，GRE達到321以上。

　　四、美國電子工程專業(yè)院校申請難度第四梯隊

　　南加州大學(xué)(USC)

　　普渡大學(xué)(Purdue University)

　　威斯康星大學(xué)麥迪遜分校(UW-Madison)

　　德州農(nóng)工大學(xué)(Texas A&M University)

　　加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校(UCSB)

　　申請難度分析：

　　GPA 3.3+、托福100+、GRE 320+即可積極嘗試。

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