人們對于新型材料的依賴越來越強(qiáng)，為此，麻省理工學(xué)院研制出了僅有原子厚度的新型材料，通過他們的方法，研究小組用一種叫做過渡金屬二氯化物（TMDs）的二維材料制造了一個簡單的功能晶體管，眾所周知，這種材料在納米尺度上的導(dǎo)電性能比硅更好。接下來跟隨托普仕老師一起來看看吧！
遵循摩爾定律，自20世紀(jì)60年代以來，微芯片上的晶體管數(shù)量每年翻一番，但這種增長預(yù)計將達(dá)到極限，因為作為現(xiàn)代晶體管基礎(chǔ)的硅，當(dāng)用它制成的設(shè)備低于一定尺寸時，就會失去其電氣特性。
但是在電子工業(yè)能夠過渡到二維材料之前，科學(xué)家們必須首先找到一種方法，在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的硅片上安放這些材料，同時保留其完美的結(jié)晶形式。而麻省理工學(xué)院的工程師現(xiàn)在可能有一個解決方案。
該團(tuán)隊已經(jīng)開發(fā)出一種方法，可以使芯片制造商通過在現(xiàn)有的硅和其他材料的晶圓上生長，用二維材料制造出更小的晶體管。這種新方法是一種"非外延式單晶生長"的形式，該團(tuán)隊首次使用這種方法在工業(yè)硅晶圓上生長出純凈的、無缺陷的完美二維材料。
麻省理工學(xué)院機(jī)械工程系副教授JeehwanKim說："我們預(yù)計我們的技術(shù)可以使基于二維半導(dǎo)體的高性能下一代電子設(shè)備得到發(fā)展。我們已經(jīng)解開了一個使用二維材料追趕摩爾定律的方法。"
Kim和他的同事在最近發(fā)表于《自然》雜志的一篇論文中詳細(xì)介紹了他們的方法。這項研究的麻省理工學(xué)院合作者包括KiSeokKim、DoyoonLee、CelestaChang、SeunghwanSeo、HyunseokKim、JihoShin、SanghoLee、JunMinSuh和Bo-InPark，以及德克薩斯大學(xué)達(dá)拉斯分校、加州大學(xué)河濱分校、圣路易斯華盛頓大學(xué)和韓國各地機(jī)構(gòu)的合作者。如果想要了解更多，可以添加V信Tops6868，托普仕專業(yè)的老師會為您解疑答惑。
通過在涂有"掩膜"的晶圓上沉積原子，麻省理工學(xué)院的工程師可以將原子聚集在掩膜的各個口袋里，并鼓勵原子生長成完美的二維單晶層。
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